

英国SHAW进口SADP便携式露点仪:守护芯片制造的ppb级湿度防线
在芯片制造领域,工艺气体(如氮气、氩气)的湿度控制是决定晶圆良率与设备寿命的核心环节。当气体中水分含量超过ppb级(十亿分之一)阈值时,微量的水蒸气会引发晶圆表面污染、薄膜缺陷、设备腐蚀等一系列连锁反应,导致良品率骤降。英国SHAW公司推出的SADP系列便携式露点仪,凭借其ppb级检测精度、快速响应与本质安全特性,成为芯片工厂工艺气体湿度监测的“关键防线”。
工艺气体湿度超标的危害:从晶圆缺陷到设备损毁
芯片制造中,光刻、蚀刻、化学气相沉积(CVD)等工艺对气体纯度要求极高。例如,在3纳米制程的CVD工艺中,氮气需将水分含量控制在0.1ppb以下,否则水蒸气会与前驱体(如硅烷)反应生成颗粒物,在晶圆表面形成直径仅几纳米的缺陷,直接导致芯片电性能失效。某国际芯片代工厂曾因氮气纯化器失效,导致气体露点从-90℃升至-60℃,引发某批次晶圆良率下降40%,损失超2000万元。
湿度超标还会加速设备腐蚀。在引线键合工艺中,若氩气含水量超过1ppb,水蒸气会与金属触头反应生成氢氧化物,导致键合强度下降30%,甚至引发电气连接断路。此外,高湿度环境会降低真空泵效率,使外延设备运行速度减慢20%,直接拖慢产线节拍。
SADP系列露点仪的技术优势:ppb级精度与现场适应性
针对芯片制造的严苛需求,SADP系列仪器通过三大创新实现可靠检测:
1. 超高准确度传感器:采用氧化铝电容传感器,测量范围覆盖-100℃至+20℃露点,对应水分浓度从0.1ppb到10ppm。例如,SADP-D-P型号可准确检测-90℃露点(约0.1ppb水分),满足先进制程对气体纯度的要求。
2. 快速响应与动态监测:响应时间≤1秒,可随时捕捉气体露点波动。在氮气纯化系统切换或设备启停时,SADP能快速响应变化,避免因滞后导致的数据失真。
3. 本质安全与便携性:通过ATEX和IECEx认证,适用于Class 1, Division 1等危险区域;轻量化设计(含肩带)便于在无尘室内移动检测,减少对产线的干扰。
行业应用案例:从气体供应验证到故障排查
在台积电的3纳米芯片产线中,SADP系列仪器发挥了关键作用:
· 气体供应验证:在超纯氩气钢瓶投用前,使用英国SHAW进口SADP便携式露点仪检测其露点,确保水分含量<0.5ppb,避免因气体污染导致晶圆缺陷。英国SHAW进口SADP便携式露点仪:守护芯片制造的ppb级湿度防线
· 工艺设备监测:将SADP与CVD设备的进气管道连接,随时监测氮气露点。当露点突然上升至-60℃时,系统立即报警,提示纯化器失效,操作人员可及时停机检修,避免批量报废。英国SHAW进口SADP便携式露点仪:守护芯片制造的ppb级湿度防线
· 故障溯源分析:某批次晶圆良率下降时,通过英国SHAW进口SADP便携式露点仪检测蚀刻气体中的水分波动,发现氮气纯化器再生不彻底导致露点超标,更换滤芯后良率恢复至98%以上。英国SHAW进口SADP便携式露点仪:守护芯片制造的ppb级湿度防线
从3纳米制程的CVD工艺到先进封装环节,英国SHAW进口SADP系列便携式露点仪为芯片制造提供了可靠的湿度监测解决方案。其本质安全设计、智能化操作与长效稳定性,不仅降低了企业的质量风险与运维成本,更推动了行业向“零缺陷”制造迈进。在芯片制程向2纳米及以下推进的背景下,SADP系列仪器将成为保障产线稳定运行、提升良率的“隐形卫士”。
传感元件 :Shaw超高电容-氧化铝传感器
范 围:
银(S):-100 - -20 °C 露点, 0 - 1000 ppm(v)
紫(P):-100 - 0 °C 露点, 0 - 6000 ppm(v)
灰(G):-80 - 0 °C 露点, 0 - 6000 ppm(v)
红(R):-80 - -20 °C 露点, 0 - 1000 ppm(v)
蓝(B):-80 - +20 °C 露点, 0 - 23,000 ppm(v)
自动校准 :校准/范围检查设备.通过设备正面的电位器激活与操作
工厂校准 :提供校准证书,国家物理实验室(NPL)
准确度 :± 3 °C/ ± 4 °C 露点
NPL: -90 °C - +20 °C (-130 °F to +68 °F)
反应时间 :潮湿-干燥:-20 °C - -60 °C < 120s , 干燥-潮湿:-100 °C - -20 °C < 20s
样品流速 :与流量无关,但理想为2 - 5 L/min
*大:25 litres/min
校准保修 :发货日起12个月
电磁兼容(EMC)
排放:符合EN 61000-6-3:2000
抗扰:符合EN 61000-6-1:2001
预热时间 :5s
显 示
数字:4位数字,液晶显示。设置读取C°或°F露点
电 源
电池寿命 :超过150小时连续运转
分辨率 :0.1 °C, 0.2 °F 露点或0.1 ppm(v)
重复性 :优于±0.5 °C露点
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