英国SHAW进口便携式露点仪SADP：晶圆洁净室湿度管控的“盾牌”

在先进制程晶圆制造中，洁净室湿度控制是决定良率的核心要素。当环境露点温度高于-80℃时，晶圆表面吸附的水分子会引发多重灾难：光刻胶吸湿膨胀导致图形转移偏差超5nm，氧化层因水解反应产生针孔缺陷，静电放电（ESD）风险激增10倍。英国SHAW便携式露点仪SADP系列凭借其-100℃至+20℃超宽量程与ppb级检测准确度，成为全球晶圆厂实现“超低湿环境”监测的关键工具，助力企业将关键制程缺陷率降至0.02%以下。

光刻工艺的“湿度红线”：从图形套刻到设备寿命

在EUV光刻机内部，极紫外光与光刻胶的化学反应对湿度极其敏感。当环境露点温度高于-85℃时，光刻胶分子吸湿膨胀率达0.3%/℃。英国SHAW进口SADP-TR-P型露点仪采用第四代激光光谱传感器，可在-100℃至-80℃露点范围内实现±0.1℃准确度检测，响应时间小于5秒。某12英寸晶圆厂应用该设备后，通过实时监测光刻车间湿度波动，将图形套刻准确度从2.8nm提升至1.5nm，光刻机台年产能增加1200片，同时将光罩使用寿命延长40%。

原子层沉积（ALD）的“干燥壁垒”：从薄膜质量到器件可靠性

在ALD工艺中，前驱体化学吸附需在绝对干燥环境中进行。若环境湿度超过0.05%RH，金属氧化物薄膜会因水解反应产生针孔缺陷，导致3D NAND闪存层漏电流增加3个数量级。英国SHAW进口SADP-G型露点仪通过**冷镜式传感器与分子筛干燥系统，可将测量腔体湿度稳定在-95℃露点（对应0.01%RH）。某存储芯片企业采用该设备后，将3D NAND闪存层的缺陷密度从0.3个/cm²降至0.05个/cm²，产品耐久性提升5倍。

技术革新：三大优势定义行业新标准

1. 超微量检测能力：采用氧化铝电容传感器，可探测0.1ppb级水分子，检测下限突破传统传感器极限；

2. 智能校准系统：内置自诊断算法可自动补偿传感器漂移，单次校准周期延长至180天，年维护成本降低70%；

3. 本质安全设计：通过SEMI S2认证与ATEX防爆认证，可在Class 1洁净室与防爆区域直接使用，无粒子污染风险。

从光刻机台到沉积腔体，英国SHAW进口SADP便携式露点仪系列正重新定义晶圆制造的湿度管理标准。数据显示，应用该设备的Fab厂关键制程ESD事件减少92%，氧化层缺陷率下降至0.02%以下，为摩尔定律的持续推进提供了不可或缺的湿度防控屏障。当每一片晶圆在恒定湿度中完成准确加工时，英国SHAW便携式露点仪SADP已悄然完成了它的“纳米级守护”使命。

传感元件 ：Shaw超高电容-氧化铝传感器

范 围：

银（S）：-100 - -20 °C 露点, 0 - 1000 ppm(v)

紫（P）：-100 - 0 °C 露点, 0 - 6000 ppm(v)

灰（G）：-80 - 0 °C 露点, 0 - 6000 ppm(v)

红（R）：-80 - -20 °C 露点, 0 - 1000 ppm(v)

蓝（B）：-80 - +20 °C 露点, 0 - 23,000 ppm(v)

自动校准 ：校准/范围检查设备.通过设备正面的电位器激活与操作

工厂校准 ：提供校准证书，国家物理实验室（NPL）

准确度 ：± 3 °C/ ± 4 °C 露点

NPL： -90 °C - +20 °C (-130 °F to +68 °F)

反应时间 ：潮湿-干燥：-20 °C - -60 °C < 120s   ，   干燥-潮湿：-100 °C - -20 °C < 20s

样品流速 ：与流量无关，但理想为2 - 5 L/min

*大：25 litres/min

校准保修 ：发货日起12个月

电磁兼容（EMC)

排放：符合EN 61000-6-3:2000

抗扰：符合EN 61000-6-1:2001

预热时间 ：5s

显 示

数字：4位数字，液晶显示。设置读取C°或°F露点

电 源

电池寿命 ：超过150小时连续运转

分辨率 ：0.1 °C, 0.2 °F 露点或0.1 ppm(v)

重复性 ：优于±0.5 °C露点

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